1. TUJUAN [kembali]
- Mengetahui dan memahami aplikasi dari transistor dalam rangkaian listrik
- Mampu menjelaskan prinsip cara kerja setiap rangkaian
- Mampu mengaplikasikan dan membuat rangkaian
2. ALAT DAN BAHAN [kembali]
- ALAT
A. Power Suply
- ALAT
Baterai
merupakan perangkat yang digunakan untuk memberi daya terhadap alat
yang membutuhkan listrik. Baterai juga merupakan komponen elektronika
penghasil sumber tegangan pada rangkaian. Semua baterai pada
spesifikasinya juga pasti selalu terdapat spesifikasi arus yang biasanya
diukur dengan satuan mili ampere hours atau disingkat mAH, spesifikasi
menunjukkan seberapa lama baterai bisa digunakan pada beban /
alat yang digunakan. Misalnya sebuah baterai 1900mAH bisa
menyuplai 1900mA ke sebuah rangkain selama 1 jam sebelum akhirnya habis.
C. Ampermeter DC
Amperemeter adalah salah satu alat ukur yang biasa digunakan untuk
mengukur seberapa besar kuat arus listrik yang terdapat pada sebuah
rangkaian. Jika anda menggunakan alat ini, anda akan menjumpai tulisan A
dan mA. A adalah Amperemeter, mA adalah miliamperemeter atau
mikroamperemeter.
Baterai merupakan perangkat yang digunakan untuk memberi daya terhadap alat yang membutuhkan listrik. Baterai juga merupakan komponen elektronika penghasil sumber tegangan pada rangkaian. Semua baterai pada spesifikasinya juga pasti selalu terdapat spesifikasi arus yang biasanya diukur dengan satuan mili ampere hours atau disingkat mAH, spesifikasi menunjukkan seberapa lama baterai bisa digunakan pada beban / alat yang digunakan. Misalnya sebuah baterai 1900mAH bisa menyuplai 1900mA ke sebuah rangkain selama 1 jam sebelum akhirnya habis.
- BAHAN
A. Resistor
Resistor
adalah perangkat elektronik yang berperan sebagai penghambat tengangan
suatu rangkaian. Resistor ini memiliki berbagai variasi hambatan yang
satuannya ohm.
B. Transistor
Transistor adalah sebuah komponen elektronika yang digunakan untuk penguat, sebagai sirkuit pemutus, sebagai penyambung, sebagai stabilitas tegangan, modulasi sinyal dan lain-lain. Transistor seperti gambar diatas dapat disebut juga transistor bipolar atau transistor BJT (Bipolar Junction Transistor).
C. Grounding
3. DASAR TEORI [kembali]
3.5 Aksi Peningkatan Transistor
Aksi penguatan dasar transistor dapat diperkenalkan pada level permukaan menggunakan jaringan dari Gambar 3.12. DC bias tidak muncul pada gambar karena minat kita akan terbatas pada respon ac.
Gambar 3.12. Amplifikasi tegangan dasar dari Konfigurasi basis umum
Perbedaan resistansi disebabkan oleh persimpangan bias maju pada input (basis ke emitor) dan persimpangan bias balik pada output (basis ke kolektor). Menggunakan nilai umum 20Ω untuk resistansi masukan, maka ditemukan :
Jika kita berasumsi,maka αac = 1 (Ic = Ie),
Amplifikasi tegangannya adalah…..
Nilai tipikal amplifikasi tegangan untuk konfigurasi basis umum bervariasi dari 50 hingga 300. Amplifikasi arus (IC/IE) selalu kurang dari 1 untuk konfigurasi basis umum. Karakteristik terakhir ini harus jelas sejak IC = αIE dan α selalu kurang dari 1. Tindakan penguatan dasar diproduksi dengan mentransfer arus (I) dari rendah ke sirkuit resistansi tinggi. Kombinasi kedua istilah yang dicetak miring menghasilkan transistor label, itu adalah………
transfer resistor → transistor
3.6 Konfigurasi Umum Emiter
(a)Transistor NPN (b) Transistor PNP
Gambar 3.13. Notasi dan simbol yang digunakan
dengan konfigurasi umum-emitter
Arus emitor, kolektor, dan basis ditampilkan dalam arus konvensional aktualnya arah arus. Meskipun konfigurasi transistor telah berubah, arus relasi yang dikembangkan sebelumnya untuk konfigurasi basis umum masih dapat diterapkan. Artinya, IE = IC + IB and IC = αIE.
Untuk konfigurasi umum-emitter, karakteristik keluarannya adalah plot dari file arus keluaran (IC) versus tegangan keluaran (VCE) untuk berbagai nilai arus masukan (IB). Karakteristik masukan adalah plot arus masukan (IB) versus tegangan masukan (VBE) untuk rentang nilai tegangan keluaran (VCE). Dua rangkaian karakteristik diperlukan untuk mendeskripsikan sepenuhnya perilaku konfigurasi emitor umum: satu untuk sirkuit input atau basis-emitor dan satu untuk output atau sirkuit kolektor-emitor. Keduanya ditunjukkan pada Gambar 3.14.
(a) karakteristik kolektor; (b) karakteristik dasar
Gambar 3.14 Karakteristik transistor silikon dalam konfigurasi umum-emitor
Wilayah aktif untuk konfigurasi pemancar-bersama adalah bagian dari kuadran kanan atas yang memiliki linieritas terbesar, yaitu wilayah di mana kurva untuk IB hampir lurus dan berjarak sama. Pada Gambar 3.14a wilayah ini ada di sebelah kanan garis putus-putus vertikal di VCEsat sat dan di atas kurva untuk IB sama dengan nol. Wilayah di sebelah kiri VCEsat disebut wilayah saturasi.
Wilayah cutoff untuk konfigurasi umum emiter tidak didefinisikan dengan baik seperti untuk konfigurasi umum base. Perhatikan karakteristik kolektor pada Gambar 3.14 bahwa IC tidak sama dengan nol jika IB adalah nol. Untuk konfigurasi umum base, ketika arus masukan IE sama dengan nol, arus kolektor hanya sama dengan ICO, arus saturasi balik, sehingga kurva IE = 0 dan sumbu tegangan adalah, untuk semua tujuan praktis, satu.
Alasan perbedaan karakteristik kolektor ini dapat diturunkan melalui manipulasi Persamaan yang tepat. (3.3) dan (3.6). Itu adalah,
Jika kita mempertimbangkan kasus yang dibahas di atas, di mana IB = 0 A, dan menggantikan nilai tipikal seperti 0,996, arus kolektor yang dihasilkan adalah sebagai berikut
Jika ICBO adalah 1 µA, arus kolektor yang dihasilkan dengan IB = 0 A akan menjadi 250 (1 µA) = 0,25 mA, seperti yang tercermin pada karakteristik Gambar 3.14. Untuk referensi di masa mendatang, arus kolektor ditentukan oleh kondisi IB = 0 µA akan diberi notasi yang ditunjukkan oleh persamaan (3.9)
Dalam Gambar 3.15 kondisi di sekitar arus yang baru ditentukan ini ditunjukkan dengan arah referensi yang ditetapkan.
Gambar 3.16 Sepotong-linier setara
untuk karakteristik dioda dari Gambar 3.14b
BETA (β)
Dalam mode dc, level IC dan IB terkait dengan kuantitas yang disebut beta dan ditentukan oleh persamaan berikut
Dimana IC dan IB ditentukan pada titik operasi tertentu pada karakteristik. Untuk perangkat praktis, level β biasanya berkisar dari sekitar 50 hingga lebih dari 400, dengan sebagian besar di kisaran menengah. Adapun α, β pasti mengungkapkan besarnya relatif dari satu arus ke yang lainnya. Untuk perangkat dengan β dari 200, arus kolektor adalah 200 kali lipat dari arus basis.
Untuk situasi ac, beta ac telah didefinisikan sebagai berikut:
Mari kita tentukan untuk suatu wilayah dengan karakteristik yang ditentukan oleh titik operasi IB = 25 µA dan VCE = 7,5 V seperti yang ditunjukkan pada Gambar 3.17. Pembatasan konstanta VCE = mengharuskan garis vertikal ditarik melalui titik operasi pada VCE = 7,5 V. Di lokasi mana pun pada garis vertikal ini tegangan VCE adalah 7,5 V, sebuah konstanta. Perubahan
Gambar 3.17 Menentukan βac dan βdc dari karakteristik kolektor
Meskipun tidak persis sama, level βac dan βdc biasanya cukup dekat dan sering digunakan secara bergantian. Artinya, jika βac diketahui, diasumsikan besarnya sama dengan βdc, dan sebaliknya. Perlu diingat bahwa pada lot yang sama, nilai βac akan bervariasi dari satu transistor ke transistor berikutnya meskipun setiap transistor memiliki kode angka yang sama.
Jika ciri-ciri memiliki kenampakan seperti pada Gambar 3.18, level βac akan sama di setiap wilayah yang memiliki karakteristik yang sama. Perhatikan bahwa langkah in IB ditetapkan pada 10 µA dan jarak vertikal antar kurva adalah sama pada setiap titik dalam karakteristiknya — yaitu, 2 mA. Menghitung βac secara akurat titik-Q yang ditunjukkan akan menghasilkan
Menentukan dc beta pada titik-Q yang sama akan menghasilkan:
Mengungkapkan bahwa jika karakteristik memiliki tampilan seperti pada Gambar 3.18 maka besarnya βac dan βdc akan sama pada setiap titik pada karakteristik tersebut. Secara khusus, perhatikan bahwa ICEO = 0 µA.
Meskipun rangkaian karakteristik transistor yang sebenarnya tidak akan pernah memiliki tampilan yang tepat seperti Gambar 3.18, ia memberikan serangkaian karakteristik untuk perbandingan dengan yang tersebut. diperoleh dari pelacak kurva.
Gambar 3.18 Karakteristik di mana
βac sama di mana-mana dan βac = βdc.
Suatu hubungan dapat dikembangkan antara β dan α menggunakan hubungan dasar yang telah diperkenalkan sejauh ini. Menggunakan β = IC/IB kita memiliki IB = IC/β, dan dari α = IC/ IE kita memiliki IE= IC /α. Mengganti menjadi
dan membagi kedua sisi persamaan dengan IC akan menghasilkan :
Selain itu, ingatlah
tetapi menggunakan persamaan
diturunkan dari atas, ditemukan
Seperti yang ditunjukkan pada Gambar 3.14a. Beta adalah parameter yang sangat penting karena menyediakan hubungan langsung antara level arus input dan output sirkuit untuk konfigurasi emitor-umum. Itu adalah,
BIAS
Gambar 3.19 Menentukan pengaturan bias yang tepat untuk
konfigurasi transistor npn umum emitor
Ditampilkan, dengan mengingat hubungan hukum Kirchhoff saat ini: IC + IB = IE.
EXAMPLE
Menggunakan Gambar 3.14b, IB = 20 µA pada VBE = 0.7 V. Dari Gambar 3.14a kita menemukan bahwa IC = 2,5 mA di persimpangan IB = 20 A dan VCE =15 V.
PROBLEM
1. Sebuah transistor mempunyai βdc sebesar 150. Jika arus kolektor sama dengan 45 mA, berapakah besarnya arus basis?
Dik : βdc = 150 Ic = 45 mA
Dit : IB = ……?
SOAL PILIHAN GANDA
4.PERCOBAAN [kembali]
a.Prosedur percobaan
- Siapkan segala komponen yang di butuhkan
- Susun rangkaian sesuai panduan
- Sambungkan rangkaian dengan baterai untuk sumber tenaga
- Hidupkan rangkaian
- Apabila tidak terjadi eror, maka rangkaian selesai dibuat.
b. Hardware
c. Rangkaian simulasi
- Prinsip kerja
d. video [kembali]
e. Kondisi
Tidak ada (hanya ada dalam praktikum)
f. Download File [kembali]
- file html klik disini
- video rangkaian proteus klik disini
- file rangkaian simulasi proteus klik disini
- datasheet LED klik disini
- datasheet Resistor klik disini
- datasheet transistor NPN klik disini
datasheet transistor PNP klik disini
- file html klik disini
- video rangkaian proteus klik disini
- file rangkaian simulasi proteus klik disini
- datasheet LED klik disini
- datasheet Resistor klik disini
- datasheet transistor NPN klik disini
datasheet transistor PNP klik disini
Tidak ada komentar:
Posting Komentar